Транзистор G30N60A4

G30N60A4 (HGTG30N60A4) — це потужний N-канальний IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором), призначений для високочастотних і високовольтних комутаційних застосувань. Поєднує переваги MOSFET (високий вхідний опір) і біполярного транзистора (низькі втрати при провідності). Використовується в зварювальних апаратах, ДБЖ, інверторах, блоках живлення та промисловій автоматизації.

⚙️ Характеристики

• Модель: G30N60A4 / HGTG30N60A4
• Тип: IGBT-транзистор (N-канальний)
• Макс. напруга колектор-емітер (V_CES): 600 В
• Макс. струм колектора (I_C): 60 А при T_C = 110°C
• Напруга насичення (V_CE(sat)): 1.8 В при I_C = 30 А
• Типовий час спаду (Fall Time): 58 нс при T_J = 125°C
• Корпус: TO-247
• Потужність розсіювання (P_tot): до 463 Вт
• Температурний діапазон: –55°C до +150°C
• Застосування: зварювальні інвертори, ДБЖ, драйвери, блоки живлення, промислова електроніка